Productos por tipo >> Memorias >> DDR SDRAM >> MR18R082GBN1-CK8
Samsung 256MB Rambus PC800 ECC RIMM, 184-pin PC800 45ns 16d ECC RDRAM RIMM. (P/N: MR18R082GBN1-CK8)
| Marca: | Samsung |
| Número de parte: |
MR18R082GBN1-CK8
|
| Precio: |
$ 0.00 (S/.0.00) |
| Stock: | 10 Unid. al [14-09-2010 11:18] |
| Otros Proveedores |
| Estado: | Nuevo |
- Los precios incluyen IGV.
- Las imágenes son referenciales.
- IMPORTANTE: Precios y Stock pueden variar sin previo aviso. Para mayor información de este producto, consulte con nuestros Ejecutivos de Ventas.
- Las especificaciones técnicas de este producto está basadas no sólo en la revisión de nuestro personal sino además se complementa con toda la información disponible publicada por el fabricante, razón por la cual no nos podemos responsabilizar por la exactitud de la misma.
- Si Ud. es distribuidor, regístrese para obtener descuentos especiales aquí.
Si es cliente, consulte a su ejecutivo o a:
Fuera de horario
| Nombre: |
|
| Cargo: |
|
| Telf: |
|
| Email: |
|
| Teams: |
|
Asesor asignado automáticamente para esta consulta.
Power Up Su madre Rambus! El nuevo módulo de Rambus es un propósito general del módulo de memoria de alto rendimiento adecuado para su uso en una amplia gama de aplicaciones, incluyendo la memoria de computadora, computadoras personales, estaciones de trabajo, y otras aplicaciones donde se requieren gran ancho de banda y la latencia baja. El uso de Rambus señalización de nivel (RSL) tecnología permite velocidades de transferencia de 800 MHz, mientras que utilizando el sistema convencional y las tecnologías de tablero de diseño. La memoria RDRAM módulo requiere una placa base con las nuevas ranuras RIMM (como la placa base Intel VC820) y no sólo late el estándar PC100, pero muele en la tierra!
Especificaciones Técnicas |
| Memoria | 256 MB Rambus DRAM (RDRAM) |
| Velocidad de Datos | Alta velocidad De almacenamiento de RDRAM 800MHz |
| Capacidad | Samsung 256MB / 16 ECC |
| Última actualización : [14-09-2010 11:18] |