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Samsung 256MB Rambus PC800 ECC RIMM, 184-pin PC800 45ns 16d ECC RDRAM RIMM. (P/N: MR18R082GBN1-CK8)

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Samsung 256MB Rambus PC800 ECC RIMM, 184-pin PC800 45ns 16d ECC RDRAM RIMM. (P/N: MR18R082GBN1-CK8)
Samsung 256MB Rambus PC800 ECC RIMM, 184-pin PC800 45ns 16d ECC RDRAM RIMM. (P/N: MR18R082GBN1-CK8)

Marca:Samsung
Número de parte: MR18R082GBN1-CK8
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Estado: Nuevo
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Descripción

Power Up Su madre Rambus! El nuevo módulo de Rambus es un propósito general del módulo de memoria de alto rendimiento adecuado para su uso en una amplia gama de aplicaciones, incluyendo la memoria de computadora, computadoras personales, estaciones de trabajo, y otras aplicaciones donde se requieren gran ancho de banda y la latencia baja. El uso de Rambus señalización de nivel (RSL) tecnología permite velocidades de transferencia de 800 MHz, mientras que utilizando el sistema convencional y las tecnologías de tablero de diseño. La memoria RDRAM módulo requiere una placa base con las nuevas ranuras RIMM (como la placa base Intel VC820) y no sólo late el estándar PC100, pero muele en la tierra!

Especificaciones Técnicas

Memoria256 MB Rambus DRAM (RDRAM)
Velocidad de DatosAlta velocidad De almacenamiento de RDRAM 800MHz
CapacidadSamsung 256MB / 16 ECC
Actualizado: 14-09-2010 11:18
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